در اغلب موارد از میدانهای الکترو مغناطیسی برای بیشتر شدن چگالی یون در محفظه استفاده میشود.این میدانها بر ذرات باردار و یونهای متحرک اثر کرده و از اینکه مستقیما و به سرعت به دیوارها برخورد کنند و خنثی شوند جلوگیری میکنند. این ذرات در یونیزه کردن گاز باقی مانده در محیط شرکت میکنند و در حاصل چگالی یون در این دامهای الکترومغناطیسی بیشتر شدن میابد.
در این روش از حرارت و پرتو الکترونی برای برانگیختن اتم ها و جدا کردن آنها از همدیگر استفاده میشوند.
•Microwave plasma source
•Radio frequency plasma source
•Capacitively coupled plasma source
•Inductively coupled plasma source
•Remote gas plasma source
•End hall plasma source
•Constricted plasma source
•Arc metal plasma source
•Long pulse ark plasma source
•Laser plasma source
sputtering plasma source :
در این روش از پرتو لیزر برای بر انگیختن الکترونهای تراز بالا استفاده میشود.
vacum Arc ion source :
در این روش با استفاده از قوس الکتریکی گاز موجود در محفظه به یون تبدیل میشود.
تشریح ECR :
اصول کار این دستگاه را میتوان اینگونه بیان کرد ، اگر در محیطی یک میدان مغناطیسی یکنواخت با اندازه B وجود داشته باشد الکترونهای آزاد تحت اثر این میدان در مسیر دایره ای با فرکانس ثابت Fecr ابتدا به حرکت میکنند.
که B شدت میدان مغناطیسی و e بار الکترون و me جرم آن است .
حال اگر سیگنالی با این فرکانس در محیط تشعشع شود الکترونها میتوانند انرژی را از آن جذب کرده و در حدود Kev و حتی Mev شتاب بگیرند . وجود الکترونها ی بسیار پر انرژی باعث یونیزه شدن گازهای موجود در محیط با چگالی بودن بسیار بالا خواهد بود.
مزایای این روش عبارتنداز :
1. عدم نیاز به المان حرارتی و در حاصل صعود طول عمر دستگاه
2. یونیزه شدن با چگالی بسیار بالا و یونهایی با بار+1، +2و +3
3.سادگی تولید یونهای گازی .علاوه بر این اتم های فلزی میتوانند در یک کوره دیگر تولید شده و دراین دستگاه یونیزه شوند.
4.تقریبا یونهای همه عناصر قابل تولید هستند.
5.در فشار بسیار پایین هم میتواند چگالی یون قابل توجهی بدهد لذا میتوان از آن برای تولید یون عناصر کمیاب و کمیاب خاکی و مواد رادیو اکتیو استفاده کرد.
برچسب:
نویسنده: الینا رضاپور